מוקדם יותר היום, אמרנו לך את זהקוואלקום הציגה את ערכת השבבים Snapdragon 835,אשר מיוצר על ידי סמסונג באמצעות תהליך 10nm. השבב החדש יספק ביצועים טובים יותר ב-27% עם צריכת אנרגיה נמוכה ב-40%. גם אנחנועבר את תוצאות מבחן השוואת GFXBench,אשר מדד את יכולות הקריסה הגרפית של ה-Adreno 540 GPU.
כעת, ערכת השבבים החדשה Snapdragon 835 זכתה למבחן על ידי AnTuTu שם היא קיבלה 181,434. זה עלה על ציון השיא הקודם של 172,644 שנערך על ידי ערכת השבבים Apple A10 שהועסקה על ידיאפל אייפון 7 פלוס. ערכת השבבים Snapdragon 835 מצוידת ב-CPU מתומן ליבות, שבב Snapdragon הראשון שמריץ שמונה ליבות מאז ה-Snapdragon 810 גרם למחלוקת על ידי התחממות יתר לעיתים קרובות.
אב הטיפוס שהריץ את Snapdragon 821 SoC ב-AnTuTu נושא מסך בגודל 5.9 אינץ' ברזולוציה של 1440 x 2560. הוא כולל 4GB של זיכרון RAM עם 64GB של אחסון פנימי. אנדרואיד 7.0 מריץ את התוכנית. אב הטיפוס אמור להיות שווה ערך למפרט הטיפוסי שנמצא בטלפונים המתקדמים שיופעלו על ידי ה-Snapdragon 835 SoC.
ה-Snapdragon 835 SoC זכה לציון שיא חדש ב-AnTuTu
מקור: AnTuTu viaAndroidPure
