קוואלקום הכריזה זה עתה על אחת מערכות השבבים המובילות שלה לשנת 2017 ושמה הוא... Snapdragon 835. הוא יחליף את ה-Snapdragon 821 כערכת השבבים המובילה של היצרן, שוב מוכיח שעדיין אין לנו הבנה בפילוסופיית השמות של קוואלקום.
למרות שלא נחשפו מספיק מפרטים ומאפיינים, קוואלקום שפכה המון המון שמן על אש הציפייה שלנו בכך שהודיעה לנו שהסיליקון ייוצר על ידי סמסונג בתהליך FinFET של 10nm וישתמש ב-Quick Charge 4.0 לחוויית טעינה מהירה יותר. המשמעות היא שמלבד טביעת רגל פיזית קטנה ב-30%, ה-Snapdragon 835 הקרוב יהיה מהיר יותר ב-27% וחסכוני בצריכת החשמל ב-40% בהשוואה ל-Snapdragon 820, מה שבהחלט ממריץ את הלב שלנו!
טעינה מהירה 4.0, לעומת זאת, תספק טעינה מהירה יותר ב-20% בהשוואה לטעינה מהירה 3.0 ותספק עד 5 שעות שימוש לאחר 5 דקות בלבד של טעינה. הנה עוד קצת מידע על החדש הלוהטטכנולוגיית טעינה מהירה על הבלוק.
חשבנו שזה יהיה נחמד למדי אם נשווה את ה-Snapdragon 835, SD821 ו-SD820 בטבלה מסודרת כדי להציג את כל ההבדלים הללו.
| מפרט\שבבים | סנאפדרגון 835 | Snapdragon 821 | Snapdragon 820 |
| טכנולוגיית תהליך | 10 ננומטר | 14 ננומטר | 14 ננומטר |
| ליבות מעבד | לא | 4 ליבות קריו | 4 ליבות קריו |
| אשכול ליבה בעל ביצועים גבוהים | לא | 2x ליבות, עד 2.4GHz | 2x ליבות, עד 2.2GHz |
| מקבץ ליבות חיסכון באנרגיה | לא | 2x ליבות, עד 2.0GHz | 2x ליבות, עד 1.6GHz |
| GPU | לא | אדרנו 530 | אדרנו 530 |
| קצב שעון GPU | לא | 653 מגה-הרץ | 624 מגה-הרץ |
| גרסת טעינה מהירה | 4.0 | 3.0 | 3.0 |
| שנת זמינות | 2017, TBA | רבעון שלישי 2016 | Q4 2015 |
