לאחרונה שמענו שסמסונג כןבודק את ה-Galaxy S7 הבא עם שני Snapdragon 820וExynos M1 מהדור הבאערכות שבבים, כאשר ה-820 מקבל את קריאת המעבדה להתקין ב-S7 עבור שווקים מסוימים. היום צץ דיווח נוסף, שטען שקוואלקום סיפקה זה עתה לסמסונג גרסת 3.X טובה עוד יותר של ה-Snapdragon 820, עליה השקיעה די הרבה זמן באופטימיזציות נוספות.
כתוצאה מכך, המהדורה האחרונה של Snapdragon 820, כפי שסופקה לסמסונג, תשמור על ארבע ליבות Kryo המותאמות אישית שלה,Adreno 530 GPU חזק, ותהליך הייצור של FinFET של 14 ננומטר, אך יציע צריכת חשמל נמוכה עוד יותר וניהול תרמי טוב יותר, וכתוצאה מכך עליית ביצועים כוללת של עד 10%, עם פוטנציאל להגיע להרבה יותר בשינויים נוספים.
בהתחשב בכך Snapdragon 820 יכול באופן תיאורטילהגיע למהירויות של עד 3 GHz לכל ליבה, זה עשוי להציג בפני סמסונג את החידה לא קטנה באיזו ערכת שבבים להשתמש עבור ה-Galaxy S7. לא משנה איך זה ילך, אפשר להיות בטוחים שגם גרסאות ה-Exynos וגם ה-Snapdragon הסופיות של ספינת הדגל הקרובה יזעזעו את אמות המידה כאילו אין מחר.
