לפי הדיווחים, סמסונג החלה בייצור המוני של שבב ה-Exynos 8890 המחובר ל-Galaxy S7

חרושת השמועות מוציאה שמועות על בסיס שעתי ודי קל ללכת לאיבוד בכל הספקולציות שזורמות מסביב. אחת השמועות האחרונות שפקדו אותנו מתייחסת למערכת שבבים של סמסונג שככל הנראה תסיר את ה-Exynos 7420 ותהפוך לישות החזקה ביותר בתיק השבבים של היצרנית.

האם זה אומר שסמסונג רוצה לדחוף את ההכרזה על המכשיר הצפוי הזה מוקדם מהצפוי? ובכן, מחשבה כזו אינה מגוחכת כלל. כזכור, זה האחרון צפויהכה אותנו בפברואר 2016ומגיעים בשתי גרסאות - אחת עם ה-Exynos 8890 שהוזכרה כבר ועוד אחת עם ה-Qualcomm הקרובהSnapdragon 820שְׁבָב.

בכל הנוגע ל-Exynos 8890, מידע שדלף בעבר הצביע על כך שמדובר בסיליקון מתומן ליבות של 64 סיביות עם שעון במהירות 2.4GHz. אנו מאמינים שהוא יופעל על ידי ליבות ARMv8 מותאמות אישית. בדומה ל-Exynos 7420, ערכת השבבים הקרובה של סמסונג צפויה שוב להיבנות על תהליך ייצור FinFET 14nm, שהוא כרגע הנמוך ביותר שהענקית יכולה להגיע. הזכורים יותר מכם בוודאי זוכרים שסמי מתכונן לעבור לתהליך ייצור מעולה של 10 ננומטר מתישהו בסוף 2016. משמעות הדבר היא שהסיכוי של ה-Exynos 8890 להיות ערכת שבבים של 10 ננומטר הוא אפסי.

מדדי Geekbench שלכאורה מראים כיצד ה-Exynos 8890 עשוי להופיע צצו גם הם, ולמרות שצריך לקחת אותם עם הרבה מלח, הם רומזים שהשבב הקרוב של סמסונג בהחלט עשוי להרשים. לסיכום, הסיליקון קלע 2,304 נקודות במבחן החוט הבודד של Geekbench, כמו גם 8,038 נקודות במבחן מרובה החוטים. במילים פשוטות, זה פי 1.75 טוב יותר מהתוצאה מרובה חוטים של Apple A9 ורק פי 1.1 יותר פוני יותר במבחן חוט יחיד.