זה לא היה כל כך מזמן כאשר 4GB של זיכרון היה הסטנדרט לסמארטפונים של אנדרואיד. כיום, זה לא יוצא דופן שספינת דגל כוללת זיכרון של 12GB ו-512GB.Samsung Galaxy S20 Ultra 5Gכולל זיכרון של 16GB. הַיוֹם,הודיעה סמסונגשהיא החלה בייצור המוני של חבילת ה-LPDDR5 DRAM הראשונה של תעשיית המובייל המכילה 16GB של זיכרון. החבילה, בשימוש ב-Galaxy S20 Ultra, מורכבת משמונה שבבים של 12 ג'יגה-בייט וארבעה שבבים של 8 ג'יגה-בייט, כולם מיוצרים על ידי בית היציקה של סמי עצמו באמצעות תהליך ה-10 ננומטר מהדור השני שלה.
לדברי סמסונג, חבילת ה-DRAM החדשה של 16GB "תוביל את שוק הזיכרון הנייד הפרימיום עם קיבולת נוספת המאפשרת תכונות משופרות של 5G ו-AI, כולל משחקים עשירים בגרפיקה וצילום חכם". חבילות ה- LPDDR5 DRAM מעבירות נתונים בקצב של 5,500 מגה-ביט לשנייה (Mbps), פי 1.3 מהר יותר מקצב ההעברה של 4266Mbps שהושג עם חבילות ה-LPDDR4X DRAM של סמסונג. חבילת 16GB LPDDR5 מספקת חיסכון של 20% באנרגיה וקיבולת כפולה ממערכת 8GB LPDDR4X.
סמסונג תשחרר גרסה חדשה של חבילת 16GB DRAM שלה עם קצב העברה מהיר יותר ב-17% במהלך המחצית השנייה של השנה
צ'ול צ'וי, סגן נשיא בכיר למכירות ושיווק זיכרון של סמסונג, אומר, "סמסונג הייתה מחויבת להביא את טכנולוגיות הזיכרון לקדמת הקצה כדי לאפשר לצרכנים ליהנות מחוויות מדהימות דרך המכשירים הניידים שלהם. אנו נרגשים להישאר נאמנים למחויבות הזו עם הפתרון הסלולרי החדש והמתקדם שלנו עבור יצרני מכשירים עולמיים עם הצגת מערך מוצרים חדש המבוסס על טכנולוגיית הדור הבא שלנו בהמשך השנה, סמסונג תוכל. לתת מענה מלא לדרישות הזיכרון העתידיות מלקוחות גלובליים."
הגרסה במחיר הגבוה ביותר של ה-Galaxy S20 Ultra 5G כוללת את חבילת ה-DRAM החדשה של סמסונג בנפח 16GB
סמסונג אומרת כי חבילת ה-DRAM הגדולה בתעשייה מספקת פי שניים את הזיכרון מהקיבולת שנמצאת במחשבים ניידים מתקדמים רבים ומחשבים ממוקדי משחקים. ואם כבר מדברים על משחקים, חבילת ה-LPDDR5 16GB DRAM עוזרת למשתמשים לחוות רמה גבוהה יותר של היענות וליהנות מ"גרפיקה ברזולוציה אולטרה-גבוהה" בעת משחק במשחקים ניידים.
היצרן ישפר את המפרט של חבילה זו במהלך המחצית השנייה של השנה כאשר הוא יתחיל לייצר את השבבים המשמשים לחבילת 16GB LPDDR5 DRAM עם תהליך הדור השלישי שלה 10nm. זה יגדיל את מהירות העברת הנתונים ב-17% ל-6400Mbps. למי שלא מודע, מספר התהליך מייצג כמה טרנזיסטורים יכולים להתאים בתוך מעגל משולב (IC). ככל שמספר התהליך קטן יותר, כך יש יותר טרנזיסטורים בתוך ה-IC; שבב עם מספר גבוה יותר של טרנזיסטורים יספק בדרך כלל ביצועים מהירים יותר תוך שימוש בפחות אנרגיה. לשם השוואה, הפלטפורמה הניידת Snapdragon 865 מיוצרת על ידי TSMC (בית היציקה העצמאית הגדולה בעולם) תוך שימוש בתהליך ה-7 ננומטר שלה. ה-A14 Bionic, שייוצר במהלך המחצית השנייה של השנה, ייוצר בתהליך של 5nm.
נכון לעכשיו, לסמסונג ול-TSMC יש מפות דרכים שמורידות את ייצור השבבים שלהן לתהליך 3nm. כדי להראות לכם מה יכול להיות העתיד, קחו בחשבון שה-Apple A13 Bionic SoC 7nm, המיוצר על ידי TSMC, נושא בערך 8.5 מיליארד טרנזיסטורים בכל שבב. ה-A14 Bionic, שייוצר בתהליך של 5nm, יהיה ממולא ב-15 מיליארד טרנזיסטורים בכל ערכת שבבים.
כדי להראות כמה רחוק הגיעו סמסונג ותעשיית הסלולר, החברה כללה תרשים שמראה את ההיסטוריה של היצע ה-DRAM שלה שהחל ב-2009 עם חבילת קיבולת 256MB שיוצרה באמצעות שבב 50nm 1Gb DRAM הכולל קצב העברת נתונים של 400Mbps . עד דצמבר 2014, סמסונג ייצרה חבילת קיבולת של 4GB שהשתמשה בשבב LPDDR4 8Gb 20nm שהעביר נתונים במהירות 3200Mbps.
עוד בספטמבר של השנה שעברה, סמסונג ייצרה חבילת DRAM בקיבולת 12GB שהשתמשה בשבב LPDDR4X 24Gb DRAM שנוצר בתהליך 10nm. אגב, ראשי התיבות LPDDR מייצגים Low-Power Double Data Rate וכפי שאולי ניחשתם, LPDDR5 מהיר יותר וצורך פחות אנרגיה משבבי LPDDR4.
הגרף של סמסונג מראה עד כמה הגיעו שבבי ה-DRAM שלה במשך יותר מ-10 שנים
