קו הייצור החדש של סמסונג S3 ממוקם בהוואסונג, קוריאה
סמסונג הודיעה היום שהיא החלה לייצר ערכות שבבים שיוצרו בתהליך הדור השני של החברה 10nm. סמסונג לא פרסמה שום הכרזה ספציפית, אבל יש סיכוי טוב שתהליך דור שני זה יופעל בייצור של ערכת השבבים Snapdragon 845 והגרסה הבאה של Exynos SoC. שני השבבים הללו צפויים להניע גרסאות ספציפיות של ה-סמסונג גלקסי S9,Samsung Galaxy S9+ו-Samsung Galaxy Note 9 ב-2018
טכניקת הייצור מהדור החדש משתמשת ב-10LPP (Low Power Plus) אשר מעלה את הביצועים של רכיבים אלו ב-10% לעומת ערכות השבבים Snapdragon 835 מהשנה שעברה, אשר יוצרו בתהליך הדור הראשון של 10nm. שבבי הדור השני משתמשים ב-15% פחות אנרגיה, מה שיעזור מאוד בכל הנוגע למתוח חיי הסוללה בדגמי הדגל של סמסונג 2018.
השנה, סמסונג קיבלה דיבים ראשונים ב-Snapdragon 835 SoC עבורסמסונג גלקסי S8וGalaxy S8+. כתוצאה מכך, הLG G6היהנאלץ להשתמש בדור הקודם Snapdragon 821 מתחת למכסה המנוע. לפי הדיווחים, ל-LG יש הסכם עם קוואלקום כדי לוודא שזה לא יקרה שוב עם ה-LG G7 בשנה הבאה.
"נוכל לשרת טוב יותר את הלקוחות שלנו באמצעות המעבר מ-10LPE ל-10LPP עם ביצועים משופרים ותשואה ראשונית גבוהה יותר. סמסונג עם אסטרטגיית תהליך 10nm ארוכת החיים שלה תמשיך לעבוד על ההתפתחות של טכנולוגיית 10nm עד 8LPP כדי להציע ללקוחות יתרונות תחרותיים מובהקים עבור מגוון רחב של יישומים." - ריאן לי, סגן נשיא לשיווק יציקה, Samsung Electronics
סמסונג החלה בייצור של טכנולוגיות תהליך ב-10 ננומטר ומטה במתקני הייצור החדשים שלה S3 הממוקמים בהוואסונג, קוריאה. זה המקום שבו סמסונג תייצר המוני את השבבים שלה באמצעות תהליך 7nm עם EUV (Extreme Ultra Violet).
מָקוֹר:סמסונג
