סמסונג הודיעה לאחרונה כי תתחיל לייצר שבבים המוני תוך שימוש בתהליך הייצור של צומת 10nm עד סוף 2016. הטכנולוגיה החדשה נחשבת לספק יתרונות משמעותיים מבחינת כוח עיבוד, גודל שבב וצריכת חשמל.
שבבי ה-10 ננומטר החדשים ימשיכו להשתמש בטכנולוגיית ה-FinFET בצורת סנפיר של סמסונג, בדיוק כמו ה-Samsung Exynos 7420, השבב הנייד הראשון בעולם המיוצר בתהליך 14nm. ה-Exynos 7420 הוא השבב שמניע אתסמסונג גלקסי S6ואתS6 edge, ואמות מידה מראים שזהו השבב הנייד המהיר ביותר הזמין כעת בכל סמארטפון אנדרואיד.
באירוע מיוחד מוקדם יותר השבוע בוועידת מעגלים מוצקים 2015 (ISSCC) בסן פרנסיסקו, חשפה סמסונג רקיק בגודל 300 מ"מ המיוצר באמצעות הטכנולוגיה החדשה. פירוש הדבר הוא שסמסונג סיימה את המפרט של תהליך ייצור השבבים שלה ב-10nm.
למרות שאנחנו כמובן מצפים שסמסונג תשתמש בשבבים של 10 ננומטר בסמארטפונים הקרובים, היתרונות הקשורים לטכנולוגיה זו עשויים לפלס את דרכם גם במכשירים אחרים, כגון ציוד לביש, ציוד רשת או חומרה של מרכז נתונים.
השמועות אומרות שהאומדן של סוף 2016 עבור שבבי ה-10nm החדשים של סמסונג פירושה שאפל תוכל להשתמש בטכנולוגיית הייצור החדשה בסמארטפונים ובטאבלטים של 2017. כמו בכל השמועות, הקפידו להתייחס לזו במנה של ספקנות.
TSMC, היריבה הגדולה ביותר של סמסונג בכל הנוגע להזמנות שבבים של אפל, היו לאחרונה שמועות להתחילבוחנת את טכנולוגיית ייצור שבבי ה-FinFET 10nm שלה כבר בחודש הבא, עם שמועות על ייצור המוני לשנת 2016 בתאריך לא מוגדר. למרות שסמסונג החלה בייצור המוני של שבבי 14 ננומטר כבר בפברואר, TSMC תתחיל לייצר שבבים המוני תוך שימוש בתהליך ה-16 ננומטר שלה רק בעוד כחודש.
