בדיקה זו משמשת כדרך לכמת ולהשוות את הביצועים של מעבד עם אחרים. שתי הבדיקות בוצעו אולי על אותו מכשיר, תוך שימוש במבנה האחרון של מערכת ההפעלה בקוד פתוח של גוגל (Android 9 Pie), ונושאים 6GB של זיכרון RAM. המעבד מתומן הליבות של ה-Snapdragon 855 נבדק במהירות שעון של 1.78GHz בשתי הפעמים. השבב מצויד בארבע ליבות חסכוניות באנרגיה הפועלות במהירות 1.78GHz, שלוש ליבות המטפלות במשימות מורכבות יותר בעלות מהירות שעון של 2.42GHz, וליבה מיוחדת הפועלת במהירות 2.84GHz להגברת ביצועים נוספת. ה-Snapdragon 855 כולל את השבב הגרפי Adreno 640, והוא נבנה על ידי TSMC תוך שימוש בתהליך 7nm.
השבב המוביל הנוכחי, Snapdragon 845 Mobile Platform, הופעל דרך Geekbench בפברואר האחרון עם ציון של 2378 במבחן הליבה היחידה, ו-8132 במבחן מרובה ליבות. לפיכך, אנו יכולים לצפות לראות כמה שיפורים ניכרים בביצועים עם ה-SoC האחרון של קוואלקום, שאמור להניע את הגרסה האמריקאית שלסמסונג גלקסי S10וGalaxy S10+. שני דגמי הדגל החדשים הללו עשויים להיחשף במהלך אירוע של סמסונג ב-20 בפברואר.
הפלטפורמה הניידת Snapdragon 855 נבדקת שוב ב-Geekbench
