פרטים נוספים על ערכת השבבים Exynos 8895 אשר תשמש ב-Galaxy S8 הקרובה הופיעו. דיווח שהגיע מסין אומר שערכת השבבים נבנית בשתי גרסאות: ה-Exynos 8895M וה-Exynos 8895V. שניהם ייוצרו על ידי סמסונג בתהליך ה-10nm FinFET של החברה. אומרים שהם כוללים מעבדים מתומנים ליבות המשלבים ארבע ליבות מעבד Exynos M2 (בשעון של עד 2.5GHz) וארבע ליבות מעבד Cortex A53 (בשעון של עד 1.7GHz).
בנוסף, סמסונג תנצל שוב את טכנולוגיית ה-GPU של ARM באמצעות העיצוב העדכני ביותר שלה, Mali-G71. זהו מוצר הניתן להתאמה אישית מאוד שיהיה קיים בווריאציות שונות על פני ערכות השבבים המשתמשות בו. לפיכך, ה-Exynos 8895M ישתמש בגרסה של 20 ליבות, בעוד שה-Exynos 8895V יסתפק בתצורה של 18 ליבות.
בהתאם לסטנדרטים הגבוהים של היום, שתי ערכות השבבים יתמכו באחסון UFS 2.1 מהיר, זיכרון RAM LPDDR4 ו-Cat משולב. 16 מודמים LTE. במחצית השנייה של 2017, סמסונג עשויה להציג גרסת Exynos 8895 שלישית עם מודם Shannon 359 מעודכן שיהיה תואם לרשתות CDMA.
נלמד עוד על החיה שנוהגת בגלקסי S8 בחודשים הקרובים. ספינת הדגל של סמסונג צפויה לשלב גם את ה-Exynos 8895 וגם את ה-Qualcomm Snapdragon 835 בחלקים שונים של העולם. סביר להניח ששתי ערכות השבבים החדישות יקבעו שוויון ביצועים, כאשר אחת מהן עשויה להיות מעט מאוד מהירה או חסכונית באנרגיה מהשנייה. שני המעבדים ייוצרו בתהליך 10nm של סמסונג.
