חוק מור הוא תצפית שנעשתה על ידי Fairchild Semiconductor ומייסד אינטל, גורדון מור. הגרסה המקורית, שפורסמה ב-1965, אמרה שמספר הטרנזיסטורים בתוך מעגל משולב מוכפל מדי שנה. עשר שנים מאוחר יותר, מור שינה את "החוק" וציין שמספר הטרנזיסטורים בתוך מעגלים משולבים מוכפל מדי שנה.
מנכ"ל אינטל גלסינגר אומר שהחברה תחזיר את המנהיגות התהליכית מ-TSMC וסמסונג עד 2025
ככל שספירת הטרנזיסטורים של רכיב גבוהה יותר, כך הוא חזק וחסכוני יותר באנרגיה. אבל מכיוון שמספר הטרנזיסטורים בתוך ערכות השבבים מגיע למספרים לא ייאמן, רבים הטילו ספק אם חוק מור לא יהיה אפשרי עוד. שקול את ההתקדמות של ספירת הטרנזיסטורים בערכות השבבים מסדרת A של אפל במהלך השנים האחרונות.
אינטל אומרת שבקרוב היא תנוע מהר יותר מחוק מור
ה-A13 Bionic של 2019 בשימוש בסדרת ה-iPhone 11, נשא 8.5 מיליארד טרנזיסטורים בעוד ל-A14 Bionic (בשימוש בסדרת ה-iPhone 12 בשנת 2020) היו 11.8 מיליארד טרנזיסטורים. ה-A15 Bionic SoC של השנה מצויד ב-15 מיליארד טרנזיסטורים. בהתבסס על הארכיטקטורה הנוכחית המשמשת לייצור טרנזיסטורים, כמה אפשר להקטין אותם?
גם ל-TSMC וגם לסמסונג, שתי בתי היציקה העצמאיים המובילים בעולם, יש מפות דרכים שמורדות את צמתי התהליך שלהן ל-2 ננומטר. עם זאת, שניהם ספגו מעקף קל במסעם ועיכבו את המשלוחים שלהם של שבבי 3 ננומטר. בתי היציקה האשימו את המורכבות הגוברת של ייצור מעגלים משולבים באמצעות צומת התהליך של 3nm.
כפי שצוין על ידיCNETמנכ"ל אינטל, פט גלסינגר, אמר אתמול במהלך כנס מקוון, "החוק של מור חי וקיים. היום אנחנו צופים שנשמור או אפילו נלך מהר יותר מחוק מור בעשור הקרוב. אנחנו כמנהלי חוק מור נהיה בלתי פוסקת בדרכנו לחדש". ההצהרות הנועזות הללו זכו לביקורת מצד חלק מאז שהגיעו מהחברה שאיבדה "מנהיגות תהליכית" ל-TSMC וסמסונג בעשור האחרון.
באמצעות מעבדים המכילים פרוסות סיליקון מרובות הבנויות בתוך חבילה אחת, גלזינגר מבהירה כי אינטל מתכננת לשחזר את מובילות התהליך. "אנחנו מצפים אפילו לכופף את העקומה מהר יותר מהכפלה כל שנתיים", אומר המנכ"ל. הוא גם הבטיח שהשינוי הזה יתחיל להתרחש ב-2024. אינטל תפסה את עצמה בזמן שניסתה לעבור מ-14 ננומטר ל-10 ננומטר בזמן ש-TSMC ו-סמסונגהמשיך להתקדם.
אינטל רואה טכנולוגיה ופיתוחים חדשים שיאפשרו לה "לעבור מהר יותר מחוק מור בעשור הבא"
גלסינגר מציין שני התפתחויות חדשות שלדבריו יחזירו לאינטל את המנהיגות שלה. אחד מהם נקרא RibbonFET אשר ידוע יותר בשם gate all-around (GAA). עיצוב זה משתמש בארבעה שערים כדי לתפעל את זרימת הזרם לטרנזיסטורים.
הפיתוח השני נקרא PowerVia או אספקת כוח אחורית. זה מאפשר לטרנזיסטורים לשאוב כוח חשמלי מצד אחד של שבב תוך שימוש בצד השני כדי להתחבר לקישורי תקשורת נתונים. בעיצובי השבבים של היום יש טרנזיסטורים המנסים לטפל בשתי הפונקציות מאותו צד מה שמפחית את היכולת של מעצבים להפוך את התהליך לפחות מסובך וגם מגביל את השימוש במזעור.
ההתפתחויות שהוזכרו לעיל, בתוספת שיפורים באריזה צפויים לתת לאינטל את הדחיפה הדרושה לה כדי להחזיר את מובילות התהליך שלה. אינטל גם אומרת שהיא תהיה הראשונה להשתמש בצמצם מספרי גבוה בליטוגרפיה אולטרה סגולה קיצונית (EUV). ככל שהטרנזיסטורים הולכים וקטנים, התהליך של העברת עיצובי מעגלים לפרוסים הופך מורכב יותר. ה-EUV כבר הציל את חוק מור פעם אחת בעבר מכיוון שהמכונות הללו מסוגלות ליצור עיצובי מעגלים דקים מאוד על הפרוסים שבסופו של דבר נחתכים לשבבים.
עם כל ההתפתחויות הללו, מנכ"ל אינטל, גלסינגר, מאמין בתוקף כי אינטל תשתווה אפילו עם TSMC וסמסונג עד 2024 ותעלה עליהן עד 2025.
