סמסונג וקוואלקום כבר הכריזו על ערכת השבבים הבאה שתוטמע בכמה מהסמארטפונים החזקים ביותר בשנה הבאה,סנאפדרגון 835.
עם זאת, מלבד העובדה שהוא מיוצר באמצעות תהליך 10nm FinFET של סמסונג ועוד כמה פרטים, החברות לא חשפו היבטים חשובים לגבי ערכת השבבים.
ובכן, זה נראה כאילו מסמך המראה את מפרטי Snapdragon 835 לכאורה דלף מסין. לפי מסמך זה, ערכת השבבים החדשה של קוואלקום תכיל שמונה ליבות במקום ארבע, כך שה-Snapdragon 835 יהיה למעשה מעבד מתומן ליבות בניגוד למעבדSnapdragon 820/821.
יחידת עיבוד גרפית חדשה תהיה חלק ממערכת השבבים Snapdragon 835 גם כן, ה-Adreno 540. כמו כן, ה-SoC אמור לתמוך בטכנולוגיית UFS 2.1, האיטרציה הבאה שלאחסון פלאש אוניברסלי.
Universal Flash Storage גרסה 2.1 אושרה כמציעה שיפורים משמעותיים בהשוואה לגרסאות קודמות, והיא אמורה לספק אבטחת מידע באמצעות שימוש בהצפנה מוטבעת בין ה-SoC ו-UFS Storage.
המסמך שהודל מזכיר גם שערכת השבבים Snapdragon 835 תהיה זמינה מסחרית החל מהרבעון הראשון של 2017, וכיגלקסי S8עשוי להיות אחד הטלפונים הראשונים המופעלים על ידי המעבד החדש של קוואלקום.
כדאי גם לציין שהמסמך מזכיר עוד ערכת שבבים בלתי ידועה של Qualcomm שאמורה לנחות ברבעון השני של 2017, ה-Snapdragon 660. זה יגיע גם עם שמונה ליבות, יחד עם תמיכה ב-Adreno 512 GPU ו-UFS 2.1. עם זאת, ה-Snapdragon 660 ייוצר בתהליך 14nm, לא 10nm.
