בחודשים האחרונים, שמענו לעתים קרובות שמועות שבמרכזן ה-Qualcomm Snapdragon 820, ה-SoC הנייד הקרוב של ספקית השבבים הניידים המובילה בתעשייה. היינו עדים למספר רבדליפות,שמועות, ומדי פעםתוצאת אמת מידה, ושמענו גם שקוואלקום עשויה להקפיץ את ספינת ה-TSMC.
עד היום, הדעה הרווחת הייתה כיSnapdragon 820 ייוצר על ידי סמסונגבאמצעות אותה טכנולוגיית 14nm FinFET שבה משתמשת סמסונג כיום לייצור ה-Exynos 7420, השבב שמניע את כל מערך ה-Galaxy S6 כמו גם את ה-Galaxy Note5.
מוקדם יותר היום, שמועה חדשה מסין הביאה משתנה מעניין למשוואה. לכאורה, ה-Snapdragon 820 ייוצר בתחילה בטכנולוגיית 14nm FinFET של סמסונג, אך השבב יעבור לצומת 10nm ברגע שמפעלי היציקה של השבבים 10nm של סמסונג יהיו מוכנים לייצור המוני. ה-Snapdragon 820 אמור להיכנס לייצור המוני בסוף 2015 או בתחילת 2016. מוקדם יותר השנה, סמסונג הודיעה כי סיימה את המפרט עבורוצומת FinFET 10nmוכי ייצור מדגם צפוי להתחיל עד סוף 2015, ואחריו ייצור נפחי בסוף 2016.
בחודשים האחרונים, מקור השמועה האחרונה שיתף פרטים רבים על ערכות השבבים הקרובות כגוןSamsung M1, Qualcomm Snapdragon 820, ו-NVIDIA Denver 2, אך נותר לראות אם הפרטים הללו יתבררו כמדויקים. מכיוון שלא ניתן לאשר דבר מכל זה, הקפד לשמור על מנת ספקנות לגבי דיוק המידע הזה.
מצדה, קוואלקום לא הזכירה את הטכנולוגיה המדויקת שעליה ייוצר ה-Snapdragon 820. החברה הודיעה כי השבב ייוצר באמצעות טכנולוגיית FinFET שאינה מישורית, אך זה משאיר כל כך הרבה אפשרויות על השולחן, החל מטכנולוגיית ה-16nm של TSMC ועד לטכנולוגיית ה-10nm הצמתים הקרובה של סמסונג.
למרות שהיא עדיין מובילה את תעשיית ה-SoC הניידים, קוואלקום דילגה על פעימה עם ה-Snapdragon 810, שבב שהושפע מיעילות תרמית ירודה. עם ה-Snapdragon 820, החברה מתכננת להחליף הילוכים: השבב יושק עם ליבות מעבד Hydra מותאמות אישית, Adreno 530GPU חדש ומהיר יותר, שבב DSP חדש, כמו גם הגנה משולבת נגד תוכנות זדוניות.
