ה-Snapdragon-875 מופעל על ידי סמסונגגלקסי S21צץ לאחרונה ב-Geekbench. הדגם המבוסס על Exynos 2100 הופיע באתר הבנצ'מרקינג לפני כחודשיים, ואם משווים את שתי התוצאות, השבב הקרוב של קוואלקוםיוצא על העליונה. טיפסטריקום קרחמסביר מדוע ההשוואה הזו לא באמת משנה.
לפי הדיווחים, גם Snapdragon 875 וגם Exynos 2100 ייוצרו בתהליך 5nm. לשני השבבים צפויים להיות גםאותה ארכיטקטורה, וכנראה יכלול ליבת Arm Cortex-X1 אחת, שלוש ליבות Cortex-A78 וארבע ליבות Cortex-A55.
אייס טוענת שהשבבים יתועדו אחרת. לפי המדליף, הליבה Cortex-X1 של Exynos 2100 תהיה בעלת תדר מרבי של 2.91Ghz, שלוש הליבות Cortex-A78 שלה יפעלו במהירות של 2.81Ghz, וארבע הליבות Cortex-A55 יהיו בתדר של 2.21Ghz.
לעומת זאת, מעבד Cortex-X1 של Snapdragon 875 יוכל להגיע ל-2.84Ghz, ליבות Cortex-A78 שלו יפעלו במהירות של 2.42Ghz, וליבות Cortex-A55 שלו יציעו מהירויות שעון של עד 1.8Ghz. Leaker Digital Chat Station אמר את אותו הדבר בעבר, והם גם הציעו שקוואלקום נותנת עדיפותיעילות על פני ביצועים.
האם זה מרמז שדגמי ה-Galaxy S21 בבסיס ה-Exynos 2100 יצרכו יותר חשמל? ובכן, של משטרת אנדרואידמקס ווינבךאומר שהשבב הקרוב יהיה חסכוני יותר בחשמל מהדורות הקודמים, וזה אמור להביא לשיפור חיי הסוללה.
ציונים חדשים לכאורה של Geekbench מראים כי ה-Galaxy S21 האירופי יהיה חזק בהרבה מהדגם הצפון אמריקאי
גרסת ה-Galaxy S21 שנקבעה לאחרונה השיגה ציוני ליבה בודדת ורב ליבה של 1,120 ו-3,319, בהתאמה.
לעומת זאת, דגם ה-Exynos שעבר את צעדיו חודשיים אחורה קיבל ציונים של 1,038 ו-3,060 באותו מבחן. נראה שסמסונג ביצעה כמה שינויים משמעותיים מאז, שכן Ice טוענת שציון מרובת הליבות עלה ל-4,000 נקודות.
על פי הדיווחים, ה-Snapdragon 875 יוכרז ב-1 בדצמבר, ואין לנו סיבה מועטה להאמין שיבוצעו שיפורים נוספים. לפיכך, סביר להניח שהביצועים ימשיכו להשתנות לפי אזור, רק שהפעם הצרכנים בצפון אמריקה יקבלו את הקצה הקצר של המקל.
