ערכת השבבים הבאה לסמארטפון של סמסונג, שככל הנראה תהיה ידועה בשם Exynos 2200, תהיה בנויה על תהליך של 4 ננומטר, אומר מדליף מוערךיקום קרח.
השבב יתבסס לכאורה עלטכנולוגיית 4LPP (4nm Low Power Plus) של סמסונג, שעליו לא ידוע הרבה, פרט לכך שזה יהיה שיפור שולי ביחס לתהליך 5nm FinFET ששימש עבור ה-Exynos 2100.
טכנולוגיית ה-4nm של סמסונג עומדת להיות ההטמעה הראשונה של מבנה MBCFETTM מהדור הבא (Multi Bridge Channel FET) ולפי החברה, היא משתמשת בטכנולוגיית GAAFET (Gate All Around FET) כדי להתגבר על מגבלות הביצועים וההגדלה הפיזית של ארכיטקטורת FinFET .
ה-SoC הפרימיום הקרוב של קוואלקום, ה-Snapdragon 895, יהיה לכאורה גםמיוצר על ידי סמסונגבאמצעות אותו צומת.
הפוסט של Ice Universe לגבי Exynos 2200 ב- Weibo
Ice גם אמר שה-Exynos 2200 נקרא בשם הקוד "Pamir" וה-GPU שלו, שנעשה בשיתוף עם AMD, מכונה פנימית "Voyager". ה-GPU יכלול את טכנולוגיית הגרפיקה RDNA 2 של AMD וסמסונג צפויה לעשות זאתלהכריז על כך החודש.
יכול לחלוף זמן מה עד שנראה אותו בפעולה שכן המכשיר הראשון המופעל על ידי Exynos 2200 לא אמור להגיע עד ינואר 2022.
לפי דיווח ממקור ללא רישום מבוסס, יהיה לשבבCortex X2 החדש של Armמעבד בתור הליבה העיקרית שלו והוא ייצמד לתצורת מעבד תלת אשכולות.
ה-Exynos 2100 כבר היה צעד בכיוון הנכון, כשסמסונג נטשה ליבות מותאמות אישית לעיצוב של Arm, ומעבד גרפי חדש יכול להעמיד אותו באותה בסיס כמושבבי Bionic מסדרת A של אפל.
