הSnapdragon 8 Gen 3 זוהה זה עתה במבחן השוואת ביצועים של ה-Galaxy S24+והרכיב צפוי לקבל תצורת ליבה של 1+2+3+2. נראה כי זה מעיד על כך שהמעבד ישא יותר ליבות "ביצועים" ופחות ליבות "יעילות". ערכת השבבים תהיה עם אוברקלוק, סימן ההיכר של קו Snapdragon "for Galaxy". אם מיוצרים באמצעות מצב 3nm של TSMC, מכשירים המשתמשים ב-SoC אמורים לראות רווחים יפים בביצועים וביעילות אנרגטית.
לפי Digital Chat Station, קוואלקום תשתמש בתצורה שאפל כבר השתמשה בערכות השבבים שלה מסדרת A, שיש להן ליבות בעלות שני ביצועים ושש ליבות כוח/יעילות. ה-Snapdragon 8 Gen 4, אומר הטיפסטר, יורכב משתי ליבות מעבד Phoenix L ושש ליבות מעבד Phoenix M. לפי הדיווחים, הליבות החדשות יתמכו בשדרוג הבא ל-RAM, LPDDR6, וייוצרו באמצעות צומת התהליך N3E של TSMC.
Digital Chat Station מודאג לגבי Snapdragon 8 Gen 4
צומת התהליך TSMC N3E הוא הדור השני של ייצור שבבי 3nm עבור בית היציקה המוביל בעולם וצפוי להיות בולט בשלושה דברים. זה יהיה פחות יקר מהצומת הראשון של 3 ננומטר שתמחר יצרני סמארטפונים למעט אפל (שהוציאה את הנחת הנפח הטיפוסית שלה) מהשוק. וזה לפי הדיווחיםמפחית את הביצועים ושיפורי יעילות האנרגיה שאולי ציפיתםמגרסה משופרת של צומת חדשני.
הזמינו מראש את Samsung Galaxy Z Fold 5 ו-Galaxy Z Flip 5 כבר עכשיו!
וכפי שגם Wccftech מציינת, יכולנו לראות שיפור בתפוקה, אשר בשילוב עם עלות הייצור הנמוכה יותר, זו הסיבה שיצרני טלפונים רבים יותר חיכו לצומת תהליך N3E לפני שעברו לערכות שבבים 3nm עבור המכשירים שלהם. עד שצומת התהליך משמש לייצור Snapdragon 8 Gen 4, הדברים אמורים לפעול בצורה חלקה בקצה הייצור של הדברים.
ותלוי אם או לאסמסונגחוזר ל-Exynos 2400 מחודש ושמועות על דק-ליבת עבור ה-סדרת גלקסי S24(מבחן Geekbench שהוזכר לעיל מצביע על כך שזה לא קורה), שבב Snapdragon 8 Gen 4 עבור Galaxy, עם ליבות ה-CPU החדשות המותאמות אישית שלו, עשוי להניע אתקו גלקסי S25.
